2025/10/24 18:16:32 星期五 | English
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新品快訊來源：英飛凌工業半導體
EasyDUAL? 1B和EasyPACK? 1B采用CoolSiC? MOSFET增強型1代，適用于1200V應用。這些模塊采用PressFIT壓接技術并帶NTC溫度檢測。它們還提供預涂熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號。
相關器件：
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33mΩ 1200V 半橋低熱阻版本
產品特點
1200V CoolSiC? MOSFET
Easy1B封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區寬
柵極驅動電壓窗口大
PressFIT引腳
應用價值
擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
最佳的性價比，可降低系統成本
可工作在高開關頻率，并改善對冷卻要求
競爭優勢
擴展現有產品系列
半橋模塊和三相橋模塊
帶或不帶預涂導熱材料TIM模塊版本
提供標準DCB和高性能DCB
應用領域
電機控制和驅動
伺服電機驅動和控制
電動汽車充電
