2025/9/11 18:33:38 星期四 | English
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產品展示
來源(yuan)：英飛凌工業半(ban)導(dao)體
EasyDUAL? 1B和EasyPACK? 1B采用(yong)(yong)(yong)CoolSiC? MOSFET增(zeng)強(qiang)型1代，適(shi)用(yong)(yong)(yong)于1200V應用(yong)(yong)(yong)。這些模(mo)塊采用(yong)(yong)(yong)PressFIT壓接技術并帶NTC溫度檢測。它們還提供預涂熱(re)界面(mian)材料和AlN/Al2O3基(ji)板(ban)等不同(tong)型號(hao)。
相關器件：
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33mΩ 1200V 三相(xiang)橋
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33mΩ 1200V 三相橋低(di)熱阻版本
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28mΩ 1200V 三相(xiang)橋
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55mΩ 1200V 半橋(qiao)
?? FF55MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 半橋(qiao)低熱阻(zu)版(ban)本
產品(pin)特點
1200V CoolSiC? MOSFET
Easy1B封裝
非常(chang)低(di)的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區寬
柵極驅動電壓窗口大
PressFIT引腳
應用(yong)價值
擴展了柵源電壓(ya)最(zui)大值：+23V和(he)-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
最(zui)佳(jia)的性價比，可降低系(xi)統(tong)成本(ben)
可工作在高開關頻率，并改善對冷卻(que)要求
競爭優勢
擴展現有產品系列
半橋模塊和(he)三相橋模塊
帶(dai)(dai)或不帶(dai)(dai)預涂導熱(re)材料(liao)TIM模塊版本(ben)
提供標準DCB和(he)高(gao)性能(neng)DCB
應用領域
電機控制和驅動
伺服電機驅動和控制
電動汽車充電
